高可靠性导热材料研发生产厂家
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宽禁带半导体(碳化硅SiC和氮化镓GaN)正加速进入新能源汽车牵引逆变器、光伏逆变器、工业驱动和快充电源等应用场景。相比传统硅基IGBT,SiC/GaN器件能够实现更高的开关频率、更低的开关损耗和更高的工作温度。
但“更高性能”也意味着“更严峻的散热挑战”——SiC/GaN模块的热流密度可轻松突破200 W/cm²,远高于传统硅基器件。传统导热界面材料已难以满足其导热和绝缘需求。

氮化硼导热垫片以其高导热、高绝缘和长期可靠性的综合优势,正在成为IGBT、SiC/GaN功率模块热管理方案中的重要选项。东莞市盛元新材料科技有限公司(品牌:盛恩)在氮化硼导热材料领域拥有成熟的配方设计与规模化生产能力,已服务于多家功率模块头部客户。
SiC和GaN器件的工作结温可达175~200°C,远高于硅基IGBT的150°C上限。更高的工作温度意味着更剧烈的热膨胀和热循环应力——这对热界面材料的耐久性提出了更高要求。
同时,SiC/GaN模块通常工作在400V、800V或1200V的高压直流母线电压下,对绝缘材料有苛刻要求。传统导热膏在长期热循环中容易发生泵出和干涸,导致热阻上升和绝缘性能下降——这对于功率模块而言可能意味着灾难性的失效。
氮化硼导热垫片将高导热填料(六方氮化硼)与聚合物基体复合,同时满足三重需求:高效导热(将热量快速从芯片传递至散热器);可靠绝缘(阻断高压泄漏路径);长期稳定(抗热循环、抗振动、不干涸不泵出)。
| 材料类型 | 导热系数 | 核心优势 | 核心局限 |
| 氮化硼导热垫片 | 16 W/m·K(垂直取向) | 导热+绝缘一体化,长期稳定 | 厚度固定,需匹配间隙 |
| 导热膏 | 1~5 W/m·K | 超薄界面,成本低 | 泵出、干涸、迁移风险 |
| 相变材料 | 3~8 W/m·K | 熔化填充间隙,低热阻 | 需回流,可能溢流 |
| 75~90 W/m·K(垂直取向) | 面内导热极高 | 需额外绝缘层 |
氮化硼导热垫片在功率模块场景中的综合优势在于:一层材料同时解决导热和绝缘两个问题,且长期性能稳定。
SiC/GaN模块工作在200 W/cm²以上的热流密度下,要求热界面材料具备足够低的界面热阻。氮化硼导热垫片的导热系数16 W/m·K,在典型安装压力下热阻可控制在<0.5 °C·cm²/W。相较于普通玻纤增强垫片,BN垫片可将结温降低10~15°C,直接提升开关效率和器件寿命。
对于400V/800V汽车平台或1200V工业驱动,氮化硼导热垫片需在指定厚度下维持>6 kV AC的介电强度,体积电阻率>10¹³ Ω·cm,确保模块基板与接地散热器之间在高电压下不发生局部放电,且无需额外绝缘薄膜。
垫片厚度需在热阻最小化和公差适应之间取得平衡。推荐厚度0.5~2.0mm(取决于间隙公差),压缩率20%~40%(额定夹紧力30~70psi),并需适应Ra 0.8~3.2μm的表面粗糙度。盛恩提供按厚度分级的BN垫片,无需定制模具即可微调。
氮化硼垫片通过硅基体的固有贴合性和BN片状填料的微观形变来实现表面润湿。在中等压力下,界面气隙面积可从干接触的>40% 降至<5%,界面接触热阻随之显著降低。盛恩的配方兼顾了贴合性与尺寸稳定性——足够软以润湿表面,足够硬以抵抗挤压变形。
预固化垫片的制造固化工艺决定了长期稳定性。1000次热循环(-40°C~150°C)后热阻抗变化<3%;10000次以上功率循环后接触电阻保持稳定;125°C下重量损失<0.1%(无挥发分)。盛恩每批次均经过固化验证,确保材料性能在器件全生命周期内保持稳定。
| 性能类型 | 产品型号 | SF1600-BN-03 (0.3mm) | 测试标准 |
| 热性能 | 导热系数 (W/m·K) | 16 | ASTM D5470 |
| 热阻 (℃·cm²/W, @40psi) | ≤0.3 | ASTM D5470 | |
| 使用温度 (℃) | -40~150 | / | |
| 热失重率 (%) | ≤1 | / | |
| 电性能 | 击穿电压 (KV,@AC) | ≥4 | ASTM D149 |
| 介电常数 (F/m, @ 1MHz) | ≤4.2 | ASTM D150 | |
| 体积电阻率 (Ω·cm, @ 250V) | ≥ 1013 | ASTM D257 | |
| 物理性能 | 回弹率 (%) | ≥90 | / |
| 颜色 | 白色/White | 目视/Visual | |
| 可选择厚度 (mm) | 0.2~5.0 | ASTM D374 | |
| 密度 (g/cm³) | 1.6±0.2 | ASTM D792 | |
| 硬度 (Shore C) | 60~80 | ASTM D2240 | |
| 阻燃性 | 阻燃性 | V-0 | UL94 |
表面清洁:用99%以上纯度异丙醇和无尘布彻底清洁模块基板和散热器安装面,去除残留物、氧化层和加工碎屑。清洁后30分钟内完成垫片贴装,减少二次污染。
对准贴装:将BN垫片中心对准芯片贴装区域,垫片应超出芯片边缘1~2mm。对于多芯片模块,可采用覆盖整个基板的单片垫片或逐芯片独立垫片。盛恩提供针对特定模块尺寸的定制模切BN垫片,减少产线对准偏差。
防止空气截留:从一侧边缘开始将散热器降下,使空气从对侧排出;使用扭矩扳手以交叉拧紧方式逐步均匀施加夹紧力;达到目标扭矩后,等待5~10分钟让垫片压缩稳定再上电。盛恩建议采用缓慢、渐进的多步压缩,保持BN垫片界面无气孔——尤其在大型SiC模块中,气孔截留风险最高。
SiC和GaN功率模块正在重新定义功率电子的性能边界,但它们的热管理需求也超越了传统材料的承载能力。氮化硼导热垫片以其高导热、高绝缘、长期稳定的综合优势,为宽禁带功率模块提供了一条兼顾性能与可靠性的散热路径——它的价值在于用一层材料同时解决了导热和绝缘两个问题,且长期性能稳定。
东莞市盛元新材料科技有限公司(品牌:盛恩)提供厚度0.5~5.0mm、导热系数16 W/m·K的氮化硼导热垫片产品,支持模切、背胶和自动化贴装等定制加工。如果您正在为IGBT、SiC/GaN功率模块的散热与绝缘问题而烦恼,欢迎联系盛元科技获取技术资料与测试样品。
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